tioata le laina

Fa'ato'a auala e aofia ai fa'alava ma fa'asaga, o nei mea (ZnGeP2, AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, KTA, KTP, BIBO, LBO, BBO) o lo'o avanoa ma tu'uina atu lapo'a ma fa'atonuga.O nisi o ia mea, faʻatasi ai ma meatotino o le tele nonlinear coefficient ma tulaga tulaga ese matou saunia e masani ona faʻaaogaina i le SHG masani, THG ma Mid-infrared OPO, OPA faiga, ma isi mea. E mafai ona tuʻuina atu oloa faʻatasi ma le leai o le Anodized Aluminum holder.

ZGP(ZnGeP2) tioata

O tioata ZGP o lo'o i ai fa'atasi tetele e le fa'aogaina (d36 = 75pm / V), lautele fa'aaliga manino infrared (0.75-12μm), fa'avevelaina maualuga (0.35W / (cm · K)), maualuga fa'aleaga leisa fa'alava (2-5J/cm2) ma lelei machining meatotino, ZnGeP2 tioata sa taʻua o le tupu o infrared nonlinear tioata tioata ma o loʻo avea pea ma mea aupito sili ona liua taimi mo le mana maualuga, tunable infrared leisa tupulaga.E mafai ona matou ofoina atu le maualuga maualuga ma le lapoa ZGP tioata faʻatasi ai ma le maualalo o le absorption coefficient α <0.05 cm-1 (i le pamu umi 2.0-2.1 µm), lea e mafai ona faʻaaogaina e gaosia ai le laser tunable mid-infrared ma le maualuga maualuga e ala ile OPO poʻo le OPA. faiga.
AGSe(AgGaSe2) tioata

AGSeO tioata AgGaSe2 ei ai pito fusi i le 0.73 ma le 18 µm.O lona fa'aogaina o feso'ota'iga (0.9-16 µm) ma le lautele o le vaega fa'afetaui le gafatia e maua ai le gafatia sili mo talosaga OPO pe a pamuina e le tele o lasers eseese.Fa'alogo i totonu ole 2.5–12 µm ua maua pe a pamu e le Ho:YLF laser ile 2.05 µm;fa'apea fo'i ma le fa'aogaina o vaega e le fa'atauaina (NCPM) i totonu ole 1.9-5.5 µm pe a pamu ile 1.4-1.55 µm.AgGaSe2 (AgGaSe2) ua faʻaalia e avea ma tioata faʻalua faʻaluaina lelei mo faʻavevela CO2 lasers infrared.
AGS(AgGaS2) tioata

AGS e manino mai le 0.50 i le 13.2 µm.E ui lava o lona nonlinear opitika coefficient o le aupito maualalo i totonu o tioata infrared taʻua, maualuga puʻupuʻu galu manino manino edging i le 550 nm o loʻo faʻaaogaina i OPOs pamu e Nd: YAG laser;i le tele o eseesega fa'afefiloi fa'ata'ita'iga fa'atasi ma le diode, Ti:Safaira, Nd:YAG ma IR fa'alanu leisa e ufiufi ai le 3-12 µm;i faiga fa'asagatonu infrared, ma mo le SHG o le CO2 laser.O ipu tioata manifinifi AgGaS2 (AGS) e ta'uta'ua mo le fa'atupuina o pusi pu'upu'u i totonu ole vaeluagalemu ole IR e ala ile eseesega ole fa'atuputeleina ole fa'aogaina ole pulusi ole umi ole NIR.
BGSe(BaGa4Se7) tioata

O tioata maualuga o le BGSe (BaGa4Se7) o le selenide analogue o le chalcogenide compound BaGa4S7, o lona fausaga acentric orthorhombic na faailoaina i le 1983 ma le IR NLO aafiaga na lipotia i le 2009, o se tioata fou IR NLO.Na maua mai i le Bridgman-Stockbarger technique.O lenei tioata o loʻo faʻaalia le maualuga o fesoʻotaʻiga i luga o le lautele o le 0.47-18 μm, sei vagana ai le maualuga o le absorption ile 15 μm.
BGGSe(BaGa2GeSe6) tioata

O le tioata BaGa2GeSe6 o loʻo i ai le maualuga o le faʻaleagaina o faʻamaʻi (110 MW / cm2), o le lautele o le vaʻaia o le vaʻaia (mai le 0.5 i le 18 μm) ma le maualuga o le nonlinearity (d11 = 66 ± 15 pm / V), lea e sili ona manaia ai lenei tioata. fa'afesuia'i suiga ole fa'avevela leisa i totonu (po'o totonu) ole vaeluagalemu-IR.
GaSe Crystal

Gallium Selenide (GaSe) e leai se laina opitika tioata e tasi, faʻapipiʻiina se faʻamaufaʻailoga tele e le faʻaogaina, o se faʻalavelave faʻaleagaina maualuga ma le lautele o le manino.O se mea e sili ona talafeagai mo SHG i le ogatotonu-IR.